Die Vitesco Technologies Group AG, Regensburg, und das in Arizona ansässige Unternehmen Onsemi haben ein langfristiges Lieferabkommen für Siliziumkarbid-Produkte (SiC) unterzeichnet. Es hat einen Wert von von 1,75 Mrd. Euro über zehn Jahre und soll die Wachstumskurve in der Elektrifizierung durch entsprechende Lieferkapazitäten absichern.
Wie es weiter heißt, investiert Vitesco bei Onsemi 230 Mio. Euro in Anlagen zur Herstellung von SiC-Boules, SiC-Wafern und zur Epitaxie. Die Anlagen sollen SiC-Wafer für den wachsenden Bedarf des bayerischen Automobilzulieferers produzieren. Parallel dazu werde Onsemi weiterhin in erheblichem Umfang in die End-to-End-SiC-Lieferkette investieren.
Die beiden Partner arbeiten zudem bei der Entwicklung von optimierten Kundenlösungen zusammen. Vitesco Technologies wird dabei die effizienten EliteSiC-Mosfets von Onsemi in Invertern und Antrieben einsetzen, um die jüngsten Aufträge sowie künftige Projekte bedienen zu können.
Hohe Nachfrage nach energieeffizienten SiC-Leistungshalbleitern
„Energieeffiziente Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid stehen vor einem enormen Nachfrageschub“, sagt Andreas Wolf, Vorstandsvorsitzender von Vitesco Technologies. „Durch die Beteiligung bekommen wir auf zehn Jahre und darüber hinaus Liefersicherheit bei einer Schlüsseltechnologie.“ Hassane El-Khoury, CEO von Onsemi, ergänzt: „Mit dieser Zusammenarbeit kann unser Partner den Bedarf seiner Kunden nach größeren Reichweiten und mehr Leistung von Elektrofahrzeugen erfüllen.“
SiC-Halbleiter sind eine Schlüsseltechnologie für die Elektrifizierung, weil sie sehr effiziente Leistungselektroniken ermöglichen. Damit verkürzen sich die Ladezeiten, und die Reichweite von Elektrofahrzeugen steigt. Vor allem bei hohen Spannungslagen wie 800 V sind SiC-Inverter effizienter als Silizium-Modelle. (jk)
