Onsemi, Anbieter intelligenter Leistungselektronik und Sensorik, stellt seine neue Generation der 1200-V-EliteSiC-M3S-Bauelemente aus Siliziumkarbid (SiC) vor. Damit können Entwickler von Leistungselektronik einen erstklassigen Wirkungsgrad und niedrigere Systemkosten erzielen. Das neue Angebot umfasst EliteSiC-MOSFETs und -Module, die höhere Schaltgeschwindigkeiten ermöglichen, um die wachsende Zahl von 800-V-Elektrofahrzeug-/EV-On-Board-Ladegeräten (OBC) und Energieinfrastruktur-Anwendungen, wie EV-Lade-, Solar- und Energiespeichersysteme zu unterstützen.
Ebenfalls Teil des Angebots sind die neuen EliteSiC-M3S-Bausteine in integrierten Halbbrücken-Leistungsmodulen (PIMs) mit dem laut Hersteller branchenweit niedrigsten RDS(on) in einem Standard-F2-Gehäuse. Die Module zielen auf industrielle Anwendungen ab und eignen sich für DC/AC-, AC/DC- und DC/DC-Hochleistungswandler. Sie bieten ein höheres Maß an Integration mit optimierten, direkt gebondeten Kupferdesigns, die eine ausgewogene Strom- und Wärmeverteilung zwischen parallelen Schaltern ermöglichen. Die PIMs sind für hohe Leistungsdichte in Energieinfrastrukturen, DC-Schnellladestationen für EVs und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) ausgelegt.
Platzbedarf und Anforderungen an die Kühlung reduzieren
Die neuen EliteSiC-M3S-Bausteine für den Automotive- und Industriebereich ermöglichen Entwicklern, den Platzbedarf ihrer Anwendungen und die Anforderungen an die Kühlung des Systems zu reduzieren. Dies ist gerade beim Design von Hochleistungswandlern mit höherem Wirkungsgrad und größerer Leistungsdichte von Vorteil.
Die Automotive-qualifizierten 1200-V-EliteSiC-MOSFETs sind für Hochleistungs-OBCs bis 22 kW und DC/DC-Wandler für hohe bis niedrige Spannungen geeignet. Die M3S-Technologie wurde speziell für schnelles Schalten entwickelt und weist die branchenweit niedrigsten Schaltverluste auf.
